世界看熱訊：SK海力士宣布量產238層4D NAND閃存 比上一代的速度快50%

6 月 8 日消息，SK 海力士于今日(6 月 8 日)發布公告，宣布開始量產238 層 4D NAND 閃存。

SK 海力士在公告中稱，已開始量產 238 層 4D NAND 閃存，并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。

SK 海力士強調：“公司以 238 層 NAND 閃存為基礎，成功開發適用于智能手機和 PC 的客戶端 SSD(Client SSD)解決方案產品，并在 5 月已開始量產。公司在 176 層甚至在 238 層產品，都確保了成本、性能和品質方面的世界頂級競爭力，期待這些產品在下半年能夠起到改善公司業績的牽引作用。”

據介紹，238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產品的數據傳輸速度為每秒 2.4Gb(IT之家注：千兆比特)，號稱比上一代的速度快 50%，并且改善了約 20% 的讀寫性能。

SK 海力士表示，計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后，首先向移動端產品供應 238 層 NAND 閃存，隨后將其適用范圍擴大到基于 PCIe 5.0的 PC 固態硬盤(SSD)和數據中心級高容量固態硬盤產品等。

SK 海力士在 2018 年研發的 96 層 NAND 閃存就導入了 4D 方式，采用電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash)和 PUC(Peri. Under Cell)技術。相比 3D 方式，4D 架構號稱具有單元面積更小、生產效率更高的優點。